Una bandera de Samsung ondea frente a la sede de la compañía en Seúl, Corea del Sur, el 5 de febrero de 2024.
Chung Sung-jun | Getty Images Noticias | Imágenes falsas
Samsung Electronics anunció el sábado que había firmado un pacto con el diseñador de chips estadounidense. Broadcom Se espera que la colaboración en chips de memoria, fabricación de chips por contrato y empaquetado avanzado supere los 200 mil millones de dólares para 2030.
Obtener compromisos de producción a largo plazo de Broadcom, uno de los principales desarrolladores mundiales de chips de IA personalizados, podría aumentar la utilización de las instalaciones de fabricación avanzadas de Samsung para mantenerse a la cabeza en la carrera por suministrar chips de IA.
«La colaboración ampliada… refleja el enfoque de Samsung en apoyar a los clientes con tecnologías de semiconductores de extremo a extremo en una gama cada vez más diversa de aplicaciones informáticas de alto rendimiento e inteligencia artificial», dijo la compañía en un comunicado.
La fusión se produce cuando las empresas tecnológicas globales desarrollan cada vez más sus propios aceleradores de IA personalizados en lugar de depender únicamente de procesadores gráficos de uso general, lo que impulsa la demanda de asociaciones de fabricación y diseño de chips especializados.
El memorando de entendimiento de las dos compañías subraya los esfuerzos de Samsung para fortalecer su posición en los semiconductores de IA ampliando su relación a largo plazo con Broadcom en medio de la creciente demanda de procesadores de IA personalizados.
Los próximos cinco años de colaboración combinarán la experiencia de Broadcom en el diseño de circuitos integrados de aplicaciones específicas (ASIC), o chips para tareas específicas, con las capacidades de fabricación de Samsung.
El acuerdo permitirá que los chips de comunicaciones de próxima generación de Broadcom, diseñados para la transferencia de datos de alta velocidad, se fabriquen utilizando la tecnología de proceso sub-2 nanómetros de Samsung, dijo Samsung.
Los dos también colaborarán en productos de memoria de gran ancho de banda (HBM) de próxima generación.
La asociación podría ayudar a reforzar el negocio de fundición de Samsung mientras la compañía busca reducir la brecha con el líder de la industria TSMC cortejando a los grandes clientes tecnológicos.
El mes pasado, Jun Young-hyun, codirector ejecutivo y jefe de la división de chips, dijo: «Habló sobre la cooperación de fundición de próxima generación con el director ejecutivo de Nvidia, Jensen Huang, incluidos los futuros productos de memoria HBM4E y HBM5».
Samsung dijo este año que esperaba obtener pedidos de fundición de 2 nanómetros más avanzados en un futuro próximo después de conversaciones con importantes empresas de tecnología. El año pasado, la empresa ganó “un contrato de 16.500 millones de dólares para producir chips lógicos para el fabricante de vehículos eléctricos”. tesla.